IRLML2502TRPBF数据手册来看看NMOS管包含那些参数，及选型相关数据。
NMOS管特点•UltraLowOn-Resistance超低导通电阻•N-ChannelMOSFETn沟道MOSFET•SOT-23FootprintSOT-23封装•LowProfile(<1.1mm)低厚度(小于1.1毫米)•AvailableinTapeandReel可提供磁带和卷轴包装•FastSwitching快速切换•Lead-Free无铅•Halogen-Free无卤上图:显示的特性就是导通电阻非常小，电压最高在20V上图：器件的符号Description描述说的一些优点，和应用啥的，随便看看就好。
TheseN-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.此器件来自IR公司的n沟道mosfet管，利用先进的工艺技术来实现每个硅面积非常低的导通电阻。
Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinbatteryandloadmanagement.此优点，再加上众所周知的HEXFET®功率mosfet的快速切换速度和坚固的设备设计，为设计者提供了一个在使用的非常高效和可靠的设备例如使用在电池和负载管理中。
AthermallyenhancedlargepadleadframehasbeenincorporatedintothestandardSOT-23packagetoproduceaHEXFETPowerMOSFETwiththeindustry'ssmallestfootprint.一个热增强的大型衬垫引线框架已被纳入标准的SOT-23封装，以生产业界最小的占地面积的六场效应晶体管功率MOSFET。
Thispackage,dubbedtheMicro3™,isidealforapplicationswhereprintedcircuitboardspaceisatapremium.这种封装称为Micro3™，非常适合印刷电路板空间小的地方使用。
Thelowprofile(<1.1mm)oftheMicro3allowsittofiteasilyintoextremelythinpplicationenvironmentssuchasportableelectronicsandPCMCIAcards.Micro3的低轮廓(<1.1毫米)使它可以很容易地适应极薄的应用环境，如便携式电子设备和PCMCIA卡。
Thethermalresistanceandpowerdissipationarethebestavailable.热阻和功耗是最好的。
AbsoluteMaximumRatings绝对最大额定参数Parameter参数Max.最大值UnitsVDSDrain-SourceVoltage漏-源，之间电压20VID@TA=25°CContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V连续漏极电流，VGS@4.5V4.2AID@TA=70°CContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V连续漏极电流，vg@4.5V3.4AIDMPulsedDrainCurrent脉冲漏极电流(参考图11)33APD@TA=25°CPowerDissipation功耗1.25WPD@TA=70°CPowerDissipation功耗0.8WLinearDeratingFactor线性降额因子0.01W/°CVGSGate-to-SourceVoltage栅-源电压±12TJ,TSTGJunctionandStorageTemperatureRange结点和存储温度范围-55to+150上面要注意的是VDS电压不要超过20V，电流一般使用完全没问题，选型按2倍选。
ThermalResistance热阻ParameterTyp.Max.UnitsRθJAMaximumJunction-to-Ambient最大结点环境75100C/WElectricalCharacteristics@T=25°C(unlessotherwisespecified)电气特性在T=25°C(除非另有说明)ParameterMin.Typ.Max.UnitsConditionsV(BR)DSSDrain-to-SourceBreakdownVoltageD-S击穿电压20––––––VVGS=0VID=250µAΔV(BR)DSS/ΔTJBreakdownVoltageTemp.Coefficient击穿电压温度系数–––0.01–––V/°CReferenceto25°CID=1mARDS(on)StaticDrain-to-SourceOn-Resistance–––0.0350.045ΏVGS=4.5V,ID=4.2ARDS(on)静态Drain-to-Source导通电阻–––0.050.08ΏVGS=2.5V,ID=3.6AVGS(th)GateThresholdVoltage栅极阈值电压0.6–––1.2VVDS=VGS,ID=250µAgfsForwardTransconductance正向导通5.8––––––SVDS=10V,ID=4.0AIDSSDrain-to-SourceLeakageCurrent––––––1uaVDS=16V,VGS=0VIDSSD-S漏电流––––––25uaVDS=16V,VGS=0V,TJ=70°CIGSSGate-to-SourceForwardLeakageG-S正向漏流––––––-100naVGS=-12VIGSSGate-to-SourceReverseLeakageG-S反向漏流––––––100naVGS=12VQgTotalGateCharge总栅极电荷–––812ncID=4.0AVDS=10VVGS=5.0VQgsGate-to-SourceChargeG-S电荷–––1.82.7ncQgdGate-to-Drain("Miller")ChargeG-D电荷–––1.72.6nctd(on)Turn-OnDelayTime开启延迟时间–––7.5–––nsVDD=10VID=1.0ARG=6ΩRD=10ΩtrRiseTime上升时间–––10–––nstd(off)Turn-OffDelayTime关断延迟时间–––54–––nstfFallTime下降时间–––26–––nsCissInputCapacitance输入电容–––740–––PFVGS=0VVDS=15Vƒ=1.0MHzCossOutputCapacitance输出电容–––90–––PFCrssReverseTransferCapacitance反向传输电容–––66–––PF注意的是VDS电压不要超过20V，静态Drain-to-Source导通电阻，当VGS为4.5V时，导通电阻是非常小的，所以在器件上损耗更小，电流可流过的就更大，这就是很多电脑主板控制电源都是用的场效应管的原因，如果用三极管开关自身损耗大，发热就大，栅极阈值电压0.6-1.2V，推荐的是4.5V~5V所以CPU为3.3V为什么要加个三极管驱动一下，输出电流使用完全没问题小于4A，建议选型要按2倍方法进行选器件，另外是开关断、上升下降时间，输入输出电容，这对高速电路应用，要重点看一下。
Source-DrainRatingsandCharacteristics源-漏额定值和特性Parameter参数Min.Typ.Max.UnitsISContinuousSourceCurrent(BodyDiode)连续源极电流(本体二极管)––––––1.3AISMPulsedSourceCurrent(BodyDiode)脉冲源极电流瞬间(本体二极管)––––––33AVSDDiodeForwardVoltage二极管正向电压––––––1.2VtrrReverseRecoveryTime反向恢复时间–––1624nsQrrReverseRecoveryCharge反向恢复电荷–––8.613nC上面说的就是保护二极管的参数。
"MOSFET"symbolshowingtheintegralreversep-njunctiondiode."“MOSFET”符号表示积分反向p-n结二极管。
图1、2典型的输出特性在VGS不同电压对应VDS电流电压关系25度和150度。
图3典型的转换特性，栅-源电压与漏-源电流关系图4标准导通电阻与温度结点温度与VGS为4.5V,漏-源电流在4A时导通电阻关系。
图5典型的输入输出电容与D-S电压关系图6：典型栅极电荷与栅-源电压关系图7典型的保护二极管正向电压电流关系图8最大安全运行区域图10最大有效瞬态结与环境间的热阻图11漏-源电压开启状态（电阻）与栅-源电压关系，VGS在4.5V~5V时是比较合适的。
图12（VGS:2.5V、4.5V）漏-源电压开启状态（电阻）与漏极电流关系Micro3(SOT-23)(Lead-Free)PackageOutlineDimensionsareshowninmillimeters(inches)Micro3(SOT-23)(无铅)封装外形尺寸以毫米(英寸)表示上图所示，显示一些封装尺寸信息毫米(英寸)都有标明，画PCB时有用得上。
