什么是mos管

MOS管是一种基于金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）的晶体管（transistor），广泛应用于电子电路中，它是数码电路中最常用的晶体管之一。

mos管的工作原理

mos管内部有一个MOS结构，包括一个金属栅、一个薄氧化层和一个PN结，当金属栅上加上一定的电压时，由于金属栅上的电场对氧化层产生作用，会产生一个电子通道，从而引导电流流过。

mos管的三个电极

mos管有三个电极：源极（source）、漏极（drain）和栅极（gate）。其中源极和漏极被连接到待测的电路中，栅极则用于控制mos管的电流。

mos管的g极电压

当栅极的电压高于源极电压时，mos管通过，此时电压满足以下条件：G极电压大于Vth（临界电压）。

mos管的Vth

临界电压（threshold voltage），是指在无栅电压时，源漏电流为0的栅源电压之间的差值，大约在0.5~1.5V之间。mos管的Vth通常由光刻、电离辐照或高温退火等工艺造成的表面态造成。

mos管的导通

当栅极电压高于临界电压时，mos管会被打开，形成一个导通通道。mos管的导通区域会在源漏电极间形成一个低电阻路径，从而电流能够流过。

mos管的截止

当栅极电压低于临界电压时，mos管会被关闭，形成一个高阻隔离区域。此时源漏电极间的电流无法流过。

mos管的g极电压多少才可以导通

mos管的G极电压需要大于Vth，才能在源极和漏极之间形成导通通道，从而电流得以流过。但实际使用中，需要根据具体器件的厂家手册，来确定mos管的操作电压范围，避免损坏mos管。

mos管的应用

mos管广泛应用于各种模拟电路和数字电路中，例如放大器、开关、电源电路、稳压器、振荡器等电路中。

结论

mos管是一种有效地控制电流的器件，在电子电路中得到了广泛的应用，其G极电压需要大于临界电压Vth才能导通，在实际使用中需要根据具体器件手册确定其操作电压范围，以免因电压过高或过低而损坏器件。