逆变器是一个将直流电转换成交流电的设备，广泛应用于太阳能发电系统、风力发电系统、无线电、UPS等领域中。其中，晶体管是逆变器中不可或缺的元器件，它承担着控制电流开断的重要职责。本文将从逆变器的工作原理入手，讲解逆变器中常用的晶体管和它们的特点，帮助您更好地选择合适的晶体管。

一、逆变器的工作原理

逆变器将直流电通过高频变压器隔离后，经过交流电路输出交流电。逆变器的核心在于控制开关管的导通和截止，从而控制电流的流动和停止。这也就决定了晶体管的重要地位。接下来，我们将介绍逆变器中的两种晶体管以及它们的特点。

二、MOSFET（MOS场效应管）

MOSFET是逆变器中一种常用的晶体管。它具有开关速度快、反向漏电流小、热稳定性好等特点。此外，MOSFET具有阻抗大、使用寿命长等优良特性。相比于另一种晶体管-IGBT，MOSFET的导通损耗更小，热容量也更小。因此，它适合逆变器小功率的应用场合。

三、IGBT（绝缘栅双极晶体管）

与MOSFET相比，IGBT的导通损耗相对较大，但其能够承受更大的电流。IGBT在控制电路方面比MOSFET更加复杂，但是在大功率控制方面表现更为出色。与MOSFET不同的是，IGBT的控制信号需要较高的电平才能开启。

四、SiC MOSFET（碳化硅MOSFET）

SiC MOSFET在功率损耗和电压范围方面表现出了极佳的性能，它比IGBT更具有优势。此外，该晶体管的导通损耗较小，能够提供更高的开关频率和更高的效率。尽管SiC MOSFET的成本相对较高，但它的性能表现非常出色，因此值得推荐。

五、GaNFET（氮化镓场效应晶体管）

GaNFET在欧美市场上使用广泛，在中国市场上则相对较少。该晶体管具有高能效、开关速度快、抗辐射等优点。此外，GaNFET在高温、高压、高辐射环境下表现良好，因此广泛应用于医疗设备、电动汽车和航天航空领域。

六、SiC Schottky Barrier Diode（硅碳栅二极管）

SiC Schottky Barrier Diode是一种晶体管结构，可以作为电源电压到输出电压的快速整流器使用。它具有低导通电压损耗、快速反向恢复时间等优质性能。在高温条件下，它的性能也非常出色。

七、总结

在选择逆变器用的晶体管时，应该根据具体的应用场景选择合适的晶体管。例如，在小功率控制方面，我们应该选择MOSFET，对于大功率控制，则应该选择IGBT。如果需要更高的开关频率和更高的效率，则应该选择SiC MOSFET。而且，在特殊环境下，特别是高温高压高辐射环境下，应选择更为稳定的晶体管，例如GaNFET和SiC Schottky Barrier Diode等。因此，在选择逆变器晶体管时，需要根据实际需求和应用环境全面考虑，以选择最佳的晶体管。