随笔43：中国半导体产业的思考：回避消费级进入深水区，中国大陆公司逆势增长显著科技真相科技红利及方向型资产研究2018-11-07 全球主要的半导体18Q3数据均已披露，此篇将全面分析半导体存储器芯片核心厂商，包括中国台湾省的旺宏、华邦电、南亚科；韩国的三星、海力士；美国的美光；中国大陆的兆易创新等7家公司财报。
并从消费级影响之进展、海外公司、大陆唯一厂商、库存跟踪等四方面做出详细分析与解读。
第一部分：分析消费级影响之进展：18Q3旺季消费级下滑进入深水区，但全球半导体收入依然继续创历史新高。
短期需特别警惕消费级下滑的影响程度，但随着第四次硅含量提升继续演进，消费级占全球半导体比重也会逐步回归平衡，半导体超级景气周期将会在短暂的季度放缓之后，重新回归快速成长。
我们在18Q2分析中特别提到，回避消费级即将进入深水区：“即使努力进行回避消费级的战略转变，消费级下滑的影响依然值得我们特别警惕。
旺宏的消费应用占比超过20%，旺季接近30%；华邦电占比25%以上；美光的NAND部分消费级约占60%；南亚科消费级约占80%。
第四次硅含量提升在持续进行，但消费级在各家公司存在不同比例的应用占比，需要我们加以警惕消费级下滑带来的影响。
”18Q3旺季消费级下滑进入深水区，智能手机连续2年旺季大幅下滑，已回到13-14年出货水平。
18Q3中国大陆智能手机月均出货量仅3379万台，同比下降15%；这是继2017年3季度同比下滑12%之后，连续第二年旺季出现大幅下滑。
从出货量的绝对值来看，国内智能手机出货量已回到13-14年的水平，即4-5年前的水平。
消费级下降的速度非常快，曾经作为快消品的智能手机，在市场饱和与原料价格上涨等多重因素影响之下在2017-2018年快速回归至耐用品属性；特别是2018年以来，智能手机出货量回落到了4-5年前的水平。
我们再次明确强调，回避消费级的至暗时刻是芯片公司需要引起特别重视的。
以手机为代表的通信领域占电子终端比重最大，回避消费级进入深水区对半导体行业短暂有阵痛。
据ICInsights统计数据，2017年在全球电子产品终端应用占比中，手机相关的通信领域占比最高达31.8%。
即使努力进行回避消费级的战略转变，回避消费级进入深水区对半导体行业仍会有短暂阵痛。
需要强调的是，我们认为，硅片剪刀差与第四次硅含量提升是驱动本轮行业景气的核心，将会影响消费级应用占比螺旋式下移。
即使消费级旺季同比大幅下滑，全球半导体收入依然继续创历史新高。
SIA数据，2018年9月全球半导体销售额为409亿美元，环比上升2.0%，同比上升13.8%；18Q3全球半导体销售额为1,227亿美元，季环比增长4.1%、季同比增长13.8%。
SIA表示，尽管最近几个月，年增幅有所放缓，但是9月份销售额仍创单月历史新高、第三季销售额也创单季历史新高；细看全球各地区行情，9月份中国大陆销售同比增加达26.3%。
我们认为，即使消费级旺季同比大幅下滑，全球半导体收入依然继续创历史新高的主要驱动力来自于第四次硅含量提升领域，包括汽车、工业、物联网、5G通讯等。
随着第四次硅含量提升继续演进，消费级占全球半导体比重也会逐步回归平衡，半导体超级景气周期将会在短暂的季度放缓之后，重新回归快速成长。
第二部分：对于后续景气度的判断，18Q3各大主要海外存储器厂商产品景气差异：DRAMUP/NANDDOWN，编码型被大陆抢单。
18Q3传统旺季虽然受到消费级快速下滑影响，各大主要海外存储器芯片厂商多数仍然创下历史新高纪录。
1）华邦电——收入/净利创新高，毛利率略有下滑，大陆厂商抢单影响；2）南亚科——贸易摩擦影响显现旺季收入未能续创新高，毛利率连续四个季度创十年新高；3）海力士——收入/盈利全面再创新高，DRAM淡季量价配合依然十分优秀，NAND受制于消费级影响放量降价；4）三星——盈利连续第八季度创历史新高，预判18Q4-2019需求依然旺盛；5）美光——连续第七个季度创历史新高，DRAM需求仍将强劲，预判服务器市场将长期高速成长。
我们反复强调随笔逻辑：“硅片剪刀差”（供给端）+“第四次硅含量提升”（成长端）=SuperCycle。
驱动因素的变动，将是这波高景气让多数周期分析师误判的原因，具体推荐阅读《中国半导体产业的思考—随笔》系列报告。
SuperCycle依然在前行！编码型存储器方面，我们之前建议密切留意，中国大陆主要公司中高容量NOR以及SLCNAND量产情形；将有可能对海外龙头公司造成影响。
18Q3两大龙头旺宏与华邦电均感受到了大陆厂商在核心产品的抢单：1）旺宏表示，“公司受贸易摩擦（大陆标案未进行）与大陆抢单影响，收入未能在旺季创下新高”。
毛利率环比达到10个百分点，从18Q2的45.4%下降至18Q3的35.4%，一个季度下跌到了16Q4行业超级周期未启动之前的水平。
2）与旺宏的情况类似，在NOR与SLCNAND领域均已受到大陆厂商的竞争压力。
编码型存储器海外两大龙头同时感受到大陆厂商的压力，大陆厂商快速上升的追赶能力正在撼动龙头企业的市况。
DRAM方面，三星、海力士、美光三巨头18Q3量价均有优秀的表现，并对DRAM前景均表示看好。
1）三星预计，18Q4尽管需求旺盛，但由于季节性原因价格有所走软；2019年，随着云市场的增长，对高密度内存芯片的需求保持强劲增长，中低端智能手机则采用更高规格存储器产品等。
2）海力士，DRAM在17Q4-18Q1经历第二轮惜售涨价模式后，18Q2-Q3量价依然优秀。
3）美光表示，数据中心、云、AI等市场仍处于早期应用，企业和云数据中心应用中的DRAM需求增长速度将远远快于DRAM平均行业总需求增长，未来几年内复合年增长率约为30％。
我们认为，供给端摩尔定律失效是不可逆的行业背景，特别是DRAM行业，具体我们将在后续的随笔中做深入分析。
NAND方面，我们前期一直提示此领域或将受制于消费级传导不佳的影响，18Q3回避消费级进入深水区。
虽然美光通过积极回避消费级策略，改善了公司产品结构，18Q2重回惜售涨价模式；但18Q3消费级旺季出现大幅下滑，美光、海力士均暴露出应用领域消费占比过大的弊端，美光位元出货量环比增长约35%，产品均价环比下降约15%；海力士位元出货量环比增长19%，产品均价环比下降10%。
我们将持续关注回避消费级执行不佳的部分，所带来的影响情况。
第三部分：公司方面，大陆的兆易创新将是最具野心的一家，密切关注18-19年客户与市场的抢夺；18Q3公司收入创历史，高容量新品开始抢夺市场，科技红利拥抱第四次硅含量提升：18Q3收入创历史新高，2018年连续三个季度跑赢全球龙头。
1）18Q3兆易创新收入创历史新高。
公司18Q3实现收入6.15亿元，同比增长6.26%，环比增长8.78%；创历史新高，单季度收入首次突破6亿！同行业龙头旺宏18Q3收入同比下滑4%。
兆易创新在2018年行业景气受消费级影响的各季度，均实现了增长；同期行业龙头旺宏在18Q1-Q3的各季度均出现了不同程度的同比或环比下滑。
兆易创新已展现出持续超出行业的成长能力，2018-2019年将是公司获取产业超级周期与抢夺市场份额的双重挹注之年。
毛利率高位提升，继低容量抢夺之后，中高容量NOR/SLCNAND开始抢夺市场。
18Q3公司毛利率39.4%，环比提升1.9个百分点；而同期龙头旺宏毛利率环比下降了10个百分点。
从18Q3开始，中高容量与SLC开始量产抢夺市场之后，毛利率高位回升；而同行业龙头公司则出现了较大的毛利率波动；从龙头公司的表述也能印证，公司新产品已逐步形成批量供应。
我们在18中报的分析中，曾预测“我们预计，后续公司将一方面继续维持“优势”毛利率水平，另一方面，中大尺寸NOR以及SLCNAND等高毛利新品稳定量产之后，综合毛利率有望稳中有升。
”目前公司正沿着既定战略在走，我们对此保持乐观。
库存高水位温和增长，对后市保持积极的进攻性。
兆易创新存货自2016年开始大幅提升，2016年底库存4.07亿元，同比增长85%，体现了公司超前的战略眼光；2017年即使在景气旺季仍然在加大库存备货，2017年底库存6.3亿元，同比增长54%，即使考虑涨价因素，公司库存也是在持续增加的进攻态势；2018年库存温和增长，2018年3季度末库存7.3亿元，较2017年底增长16%。
我们判断，一方面公司继续对竞争度对手保持进攻性，另一方面在新品逐步量产后开始优化库存结构。
这和我们预期是一致的，无论从产品质量还是数量都将在2018/2019年挤进前三位。
超高研发投入持续两年，有效研发投入在2018年加速提升。
1）前3季度研发费用增长74%，新品投入力度决定未来成长高度。
公司三季报显示，2018年前三季度研发支出达1.41亿元，同比增长74%，保证公司技术产品的先进性；研发费用占营收比重持续保持历史高位，2018年前3季度公司研发费用占营收比重达8.2%，自2017年开始一直保持在8-9%的水平，较2013-2016年高出一个档次。
自2017年以来，公司研发投入保持高速增长；连续两年的超高研发投入之后，有效研发投入也开始在2018年逐步显现，将确定性增加公司未来的产品线与收入规模。
2）我们在2018年1季度与中期点评中提到，2018年开始兆易创新有效研发投入加速提升。
18Q1公司无形资产增长95%，上一次公司无形资产大幅增长的一年在2016年；18Q2公司无形资产继续提升，环比提升22%，较2017年底增长139%；18Q3公司无形资产环比提升4%，较2017年底增长148%。
开发支出17Q4开始爆发式增长，环比提升184%；2018年公司开发支出继续大幅增长，18Q3公司开发支出环比增长20%，较2017年底增长43%。
公司的研发投入持续以及有效研发投入提升，将是公司持续成长的内生保证。
研发投入新品，进入科技红利期。
从海外主要龙头的表述，我们可以看到，以兆易创新为龙头的大陆厂商正在快速渗透到全球龙头公司的核心产品端。
随着研发投入以及有效研发投入的深入，公司已进入科技红利期，未来有望进一步缩短海外龙头差距，凭借本土巨大的进口替代市场，快速实现高端价值量的份额提升。
以下引自中报分析中的科技红利部分：1）NORFlash扩展高容量产品，首次实现512Mb大容量产品量产，推进55nmNORFlash技术产品研发；2）NANDFlash38nm产品已稳定量产，24nmNANDFlash也在推进研发工作；3）MCU产品扩展产品组合，针对高性能、低成本和物联网应用分别开发新产品。
调结构拥抱第四次硅含量提升之后将具备本轮超级周期最佳的成长弹性。
第四部分：进一步分析全球主要存储器厂商的库存情况：18Q3消费级旺季同比出现较大幅度下滑，回避消费级进入深水区，由于消费级应用占比在各个领域都有或多或少的比例，各家存储器厂商在18Q3库存管控整体趋于谨慎。
编码型存储器公司库存控制方面，大陆兆易创新较好，旺宏问题严重。
1）兆易创新一方面公司继续保持高水平库存的进攻性战略，另一方面在大容量新品逐步量产后开始优化库存结构；2）龙头旺宏出现了较大的库存恶化问题，上半年淡季加速备货之后，在旺季受到了竞争对手的影响库存与收入形成比较大的背离。
3）华邦电由于新品持续研发，虽然也受到大陆厂商的抢夺，库存收入暂时还算良好。
DRAM/NAND公司已充分意识到NAND产业链受到消费级影响，维持谨慎库存策略。
海力士与美光均有不同比例的NAND业务，在前几个季度库存把控中已充分意识到消费级下滑的影响，因此在消费级大幅下滑的18Q3，各家公司依然做到了谨慎库存策略、库存温和上升。
我们推断，NAND产业链正在持续进行去库存阶段，意味着后市需求尚未有好转迹象，符合我们对NAND谨慎的判断，仍需要密切关注消费级需求传导的进展。
库存管控需要与产品发展相匹配，编码型存储器龙头的再次严重误判使得库存管控出现恶化；我们强调，超级景气周期处于回避消费级深水区，同时亦处于追赶者最好的时间光景，注重科技红利投入的公司将会在2019-2020年景气周期中获得快速突破。
回顾整个行业景气启动至今，旺宏的库存战略无疑出现了较大的失误。
1）在2016年底至2017年初，此轮景气启动过程开始之初，公司并未做好足够的库存准备，演变为后续的“配销模式”，直至逐步读懂随笔逻辑开始快速产品结构2）在2018年上半年，为避免出现2017年的尴尬局面，公司提前备货、淡季主动加库存，但却低估了大陆竞争度对手在自己核心产品线上的突破速度，18Q3毛利率下滑至16Q4水平。
连续两年的战略失误，龙头公司丢掉科技红利思维，战略一直处于被动局面，将为后续追赶者提供机会。
强调结论：随笔系列中，我们一直告诉大家的是，十年高景气的半导体涨价中，受益最大、最确定的投资机会就是存储器；买入存储器，回避消费级。
同时建议以更加积极的态度面对“中国人第二次大投入”的快速推进，大陆主要公司中高容量NOR、SLCNAND以及DRAM等新品量产情形；如何在产业超级周期与市场份额抢夺（进口替代）双重挹注的年份实现全球超越的目标。
短期虽然消费级下降幅度较大，短暂影响了行业整体景气弹性，但随着第四硅含量提升领域占比提升，产业超级周期演进将呈现螺旋式上升趋势。
图表：18Q3全球主要存储器厂商量价季度变动统计：DRAM优秀，NAND加速下行正文：1、18Q3旺季消费级下滑进入深水区，全球半导体收入依然继续创历史新高 我们在18Q2分析中特别提到，回避消费级即将进入深水区：“即使努力进行回避消费级的战略转变，消费级下滑的影响依然值得我们特别警惕。
旺宏的消费应用占比超过20%，旺季接近30%；华邦电占比25%以上；美光的NAND部分消费级约占60%；南亚科消费级约占80%。
第四次硅含量提升在持续进行，但消费级在各家公司存在不同比例的应用占比，需要我们加以警惕消费级下滑带来的影响。
” 18Q3旺季消费级下滑进入深水区，智能手机连续2年旺季大幅下滑，已回到13-14年出货水平。
作为传统旺季的3季度，国内智能手机2018年单季度月均出货量仅3379万台，同比下降15%；这是继2017年3季度同比下滑12%之后，连续第二年旺季出现大幅下滑。
从出货量的绝对值来看，国内智能手机出货量已回到13-14年的水平，即4-5年前的水平。
消费级下降的速度非常快，曾经作为快消品的智能手机，在市场饱和与原料价格上涨等多重因素影响之下在2017-2018年快速回归至耐用品属性；特别是2018年以来，智能手机出货量回落到了4-5年前的水平。
我们再次明确强调，回避消费级的至暗时刻是芯片公司需要引起特别重视的（17年3月下旬，我们在《随笔2：中国半导体产业的思考：涨价谁最受益?谁受损?》中，全球首次提出“回避消费级”这一次命题；具体逻辑参见随笔系列报告） 图：国内智能手机月度出货量 图：国内智能手机旺季月均出货量 以手机为代表的通信领域占电子终端比重最大，回避消费级进入深水区对半导体行业短暂有阵痛。
据ICInsights统计数据，2017年在全球电子产品终端应用占比中，手机相关的通信领域占比最高达31.8%。
表现在存储器公司上，均有较高的应用占比：旺宏的消费应用占比超过20%，旺季接近30%；华邦电占比25%以上；美光的NAND部分消费级约占60%；南亚科消费级约占80%。
即使努力进行回避消费级的战略转变，回避消费级进入深水区对半导体行业仍会有短暂阵痛。
需要强调的是，我们认为，硅片剪刀差与第四次硅含量提升是驱动本轮行业景气的核心，将会影响消费级应用占比螺旋式下移。
图：全球电子产品终端应用占比 注：通信领域包括手机 即使消费级旺季同比大幅下滑，全球半导体收入依然继续创历史新高。
SIA数据，2018年9月全球半导体销售额为409亿美元，环比上升2.0%，同比上升13.8%；18Q3全球半导体销售额为1,227亿美元，季环比增长4.1%、季同比增长13.8%。
SIA表示，尽管最近几个月，年增幅有所放缓，但是9月份销售额仍创单月历史新高、第三季销售额也创单季历史新高；细看各地区行情，9月份中国销售同比增加达26.3%。
（中国将是未来影响全球半导体的最主要因素，具体推荐阅读《随笔41：中国大陆成为全球半导体市场的主导力量》&《随笔42：一场长达十五年的赛跑》）我们认为，即使消费级旺季同比大幅下滑，全球半导体收入依然继续创历史新高的主要驱动力来自于第四次硅含量提升领域，包括汽车、工业、物联网、5G通讯等。
随着第四次硅含量提升继续演进，消费级占全球半导体比重也会逐步回归平衡，半导体超级景气周期将会在短暂的季度放缓之后，重新回归快速成长。
（具体请阅读《随笔16：下一个方向2017-2020年第四次全球半导体硅含量提升》）对于第四次硅含量提升拥抱更为坚决的公司，才是享受本轮半导体行业SuperCycle景气的最大赢家。
图：全球半导体月度销售额及同比增速变动 下面我们一一进行分析，通过海外同行业公司18年3季报，密切观察超级景气周期中在消费级下滑进入深水区时各家表现！2、18Q3各大主要海外存储器厂商产品景气差异：DRAMUP/NANDDOWN，编码型被大陆抢单2.1、中国台湾省之旺宏：编码型储存器龙头旺季受大陆抢单影响表现不佳，回避消费级、产品结构优化显著 18Q3单季度，公司实现收入100.30亿新台币，同比下降4%，环比增长13%。
公司受贸易摩擦（大陆标案未进行）与大陆抢单影响，收入未能在旺季创下新高。
误判大陆竞争对手能力，库存高企留下隐患。
公司在淡季主动加库存、提前备货的方式，显然低估了大陆竞争对手的能力，加之消费级下滑进入深水区，公司在18Q3旺季表现不佳；高企的库存也将为后续竞争留下隐患。
编码型存储器目前最大的扰动因素仍然来自于大陆竞争对手实力的增强，但大陆竞争对手从中大容量NOR以及SLCNAND的全面量产，无疑将对龙头旺宏形成了较大的压力。
图：旺宏收入季度情况 毛利率在旺季环比大幅下滑，公司竞争力受到较大威胁。
我们在前序跟踪中，明显感觉到龙头公司对于大陆竞争者的忽视，特别在获利高的中大容量NOR以及SLCNAND领域；公司在法说会仅仅强调了低容量NOR有来自于大陆公司的竞争。
从目前跟踪的所有存储器公司中，旺宏的毛利率下滑是最多的，环比达到10个百分点，从18Q2的45.4%下降至18Q3的35.4%，一个季度下跌到了16Q4行业超级周期未启动之前的水平。
我们认为，这不能简单的从行业景气度受消费级大幅下降的影响，最主要的影响因素来自于大陆公司的直面竞争，导致龙头公司产品与份额出现大幅的下滑。
回顾整个行业景气启动至今，旺宏的战略无疑出现了较大的失误。
1）在2016年底至2017年初，此轮景气启动过程开始之初，公司并未做好足够的库存准备，演变为后续的“配销模式”，直至逐步读懂随笔逻辑开始快速产品结构；2）在2018年上半年，为避免出现2017年的尴尬局面，公司提前备货、淡季主动加库存，但却低估了大陆竞争度对手在自己核心产品线上的突破速度，18Q3毛利率下滑至16Q4水平。
连续两年的战略失误，龙头公司丢掉科技红利思维，战略一直处于被动局面，将为后续追赶者提供机会。
旺宏曾经十年追赶美韩企业成为存储器龙头企业，充分运用科技红利利器，即使在价格每年几乎都有下降的2007-2016年，仍然实现了营业额复合增长率7.4%的增长。
在放下科技红利利器之后，会否重蹈美韩企业在编码型存储器中的命运呢？我们相信，这在乎于旺宏本身的转变，也在乎于大陆公司的竞争力提升之速度。
我们在《随笔28：半导体随笔成长系列：NOR传统市场之V型反转（1）》中提到：根据产业链调研显示，兆易创新依靠科技红利思想，在串行设计的基础上进一步做小了芯片尺寸，将成本下降了20-30%。
即是有这样的科技红利底气，才会出现2017-2018年的激进产能扩充行为。
我们认为，性价比是NORFLASH在传统市场中的关键，而坐拥中国本土市场的兆易创新有望复制台湾省存储器芯片龙头的成功经验，在传统市场中取得份额快速提升、实现进口替代。
随笔28详文请点击如下链接： 随笔28：中国半导体产业的思考：NORFLASH传统市场之V型反转（1） 随笔29详文请点击如下链接： 随笔29：中国半导体产业的思考：NORFLASH传统市场之V型反转（2） 图：旺宏盈利季度情况 图：旺宏夺取编码型龙头位置的十年中全球份额变动 从收入结构来看，三季度Flash贡献收入占比为55%，同比下滑15%，环比下滑16%；ROM占比达39%，同比提升15%，环比提升147%，主要是下游任天堂需求；代工占比达6%，同比下滑9%，环比下滑21%。
Flash业务方面，位元出货同比下滑33%，环比下滑42%；主要是“由于SLCNAND大陆标案减少”。
图：旺宏分产品季度变动情况 图：旺宏Flash位元出货 从应用结构来看，回避消费级、产品结构优化显著。
对比2017/2018年3季度应用比例，1）工业物联网与汽车应用占比提升显著，其中，工业物联网应用占比提升4个百分点之12%，汽车应用占比提升4个百分点至13%；合计占比已达到25%，与传统意义上其他三大领域平均占比相当。
公司主动调结构是有成效的，第四次硅含量提升的主战场工业物联网+汽车以及AI等相关领域，注重传导图闭环，再次提醒回避消费级应用；对于随笔逻辑的战略反应速度，将决定各家公司未来竞争高度。
图：旺宏NOR收入结构 旺宏判断，中大容量NOR以及SLCNAND在2019年将依然看好。
公司表示，2019年NOR市场依然不错，扰动因素是中美贸易摩擦；低容量产品受大陆厂商竞争原因，价格比较难控制；看好高容量市场，包括18Q4在内价格将会持续稳定。
而SLCNAND供应商厂商会进一步减少，转到3DNAND之后，一般不会转回SLC。
密切关注大陆厂商在中大容量高品质NOR以及SLCNAND等新品的量产突破，期待2018-2019年精彩的中国存储芯片崛起之路。
2.2、中国台湾省之华邦电：收入/净利创新高，毛利率略有下滑，大陆厂商抢单影响 18Q3单季度看，公司实现收入136.81亿新台币，同比增长9%，环比增长1%。
公司营收继续创下历史新高。
其中内存收入109亿新台币，同比增长8%，环比增长2%，亦继续创下历史新高。
晶圆平均售价环比保持平稳。
图：华邦电收入季度情况 图：华邦电内存收入季度情况 盈利续创历史新高，毛利率略有下滑。
2018年3季度财报，单季度净利润29.17新台币，同比增长35%、环比增长29%。
毛利率38.4%，同比上升1.5个百分点，环比下降0.6个百分点；其中，内存毛利率37%，同比提升2个百分点，环比下降1个百分点。
图：华邦电盈利能力季度情况 图：华邦电内存毛利率季度情况 与旺宏的情况类似，在NOR与SLCNAND领域均已受到大陆厂商的竞争压力。
编码型存储器两大龙头同时感受到大陆厂商的压力，大陆厂商快速上升的追赶能力正在撼动龙头企业的市况。
（17Q1旺宏与华邦电分别占NOR全球份额的26%/20%，SLCNAND在美光退出之后亦将是前3大供应商）18Q3整体DRAM业务表现稳定。
NORFlash受中国大陆现货市场的影响，价格承受压力；其他领域及地区则维持正常。
SLCNAND在18Q3开始遭受价格竞争。
图：华邦电分产品收入占比 华邦电对于编码型FLASH和利基型DRAM未来判断：市场整体需求仍在，并不被悲观，须谨慎观察后市变化。
DRAM方面：多种新应用带来新的产业循环将刺激新的需求出现，并较过去由电脑驱动需求的时代而言，维持相对稳定的价格走势。
编码型FLASH方面：通过在不同应用和地区的多元化产品组合，提高价值；提供高速与高品质的SLCNAND解决方案于车用电子应用；随着多种新兴应用的增加，如无线耳机、智慧音箱、及车用电子…等，将带来新的需求成长机会。
科技红利支持下，持续保持新品投入，包括：1）提供车用电子应用之高速、高品质SerialNANDFlash；2）以Serial作为高容量编码储存的解决方案；3）超低功耗DRAM（Ultra-Low-PowerDRAM）：适合物联网装置的“绿色环保”记忆体；4）“1.2V超低电压Flash”与“高速Flash”最佳化产品效能表现；5）华邦TrustMeSecureFlah-强大、且符合共同准则认证的安全储存解决方案。
2.3、中国台湾省之南亚科：贸易摩擦影响显现旺季收入未能续创新高，毛利率连续四个季度创十年新高 贸易摩擦影响显现，18Q3旺季未能续创新高。
18Q3单季度，公司实现收入243.75新台币，同比增长83%，环比下降1%。
在2018年连续两个淡季创下十年最高季度营收后，未能在传统旺季创下新高。
DRAM均价环比持平，位元销售量季度下降个位数百分比；中美贸易摩擦影响与CPU短缺，出货量在旺季有所下降，是未能创下收入新高的主要原因。
公司继续优化产品结构，8GBDDR4服务器产品于近期获得数据中心大客户验证通过。
图：南亚科收入季度情况 18Q3毛利率连续四个季度创下十年新高！18Q3毛利率58.9%，环比增加3.9个百分点，同比增加14.7个百分点；公司继17Q4创下十年毛利率新高之后，已连续四个季度创下新高纪录。
18Q3实现净利润128.72亿新台币，同比增长50%，环比增长14%。
图：南亚科盈利季度变动情况 注：17Q4一次性卖出美光股票，有较大投资收益 由于贸易摩擦规模和时长尚未确定，DRAM市场的短期走势仍需密切观察。
受到中美贸易关税及CPU短缺影响，18Q4DRAM需求相对2018上半年保守。
国际贸易摩擦规模及持续时间尚未确定，DRAM市场长期走势，需要密切观察。
供给面：18Q3DRAM供应商增加投片，18Q4开始延缓产能扩充及资本支出；调降2018年资本支出约12%。
需求面：1）手机：双摄已成为市场主流，后续规格以多镜头为主，手机产品差异化主要依赖记忆体规格升级。
记忆体容量：安卓旗舰机主流为6GB-8GB，苹果OLED新机则导入4GB。
2）服务器：云端服务及各产业对于服务器需求持续发酵，中国区服务器需求年增长23%，北美四大数据中心需求稳定成长，全球服务器年增长约11%。
平均记忆体容量持续增加。
服务器用记忆体总需求年增长超3成。
3）消费型电子终端产品：电视、机顶盒、SSD、智能音箱仍未重点市场应用；新一代手表，提供心电图功能，预计将带动未来穿戴装置的成长。
4）PC：短期受CPU缺货影响。
另外现货市场受到次级品影响，预计短期有跌价压力。
2.4、韩国海力士：DRAM淡季量价配合依然十分优秀，NAND受制于消费级影响放量降价 海力士收入再创历史新高！18Q3实现收入11.42万亿韩元，同比增长41%，环比增长10%，在16Q4与17年全年连续5个季度创下历史新高之后，18Q2-Q3再次连续创下历史新高！ DRAM市场状况优秀，NAND受供需影响、均价下滑。
DRAM方面，位元出货量环比增长5%，均价环比增长1%。
DRAM产品中服务器DRAM需求保持强劲，并且中国智能手机市场开始进入季旺季。
价格在下游多个应用中都保持增长，但是移动设备DRAM产品营收占比相对较高，移动设备DRAM的低单价使得产品组合ASP只增长了1%。
NAND方面，位元出货量环比增长19%，产品均价下降10%。
NAND的主要驱动力是SSD市场和中国智能手机客户对大容量72层产品的需求。
由于市场供给增长，下游应用的价格仍较为疲软，导致产品均价下降了10%。
图：海力士收入季度情况 需求与涨价共振，盈利同步收入继续创历史高位！净利润，2018Q3，单季度为4.69万亿韩元，同比增长54%、环比增长8%；毛利率66%，同比提升8个百分点，环比提升2个百分点；净利润率41%，同比提升3个百分点，环比下滑1个百分点。
公司盈利在17年全年连续4个季度创下历史新高之后，18Q2-Q3同步收入再次连续创历史新高。
图：海力士盈利季度变动 DRAM淡季量价依然优秀，NAND受制于消费级影响持续恶化！我们统计了海力士十年来的DRAM与NAND量价季度变动情况发现，十年来公司第一次出现惜售涨价战略，17Q1-Q2连续2个季度在淡季出现惜售涨价趋势。
DRAM在17Q4-18Q1经历第二轮惜售涨价模式后，18Q2-Q3量价依然优秀；NAND18Q3被手机等消费级市场拖累持续恶化。
我们认为，回避消费级进入深水区，对于非传导闭环领域的相关领域将会持续恶化；即使如此，DRAM依然表现出优秀的量价模式。
我们强调，此轮涨价周期将持续远超十年来任何一次的景气周期，需要特别留意回避消费级市场，注重传导闭环。
图：海力士DRAM芯片量价季度变动情况 图：海力士NAND芯片量价季度变动情况 2.5、韩国三星：18Q3盈利连续第八季度创历史新高，18Q4-2019需求依然旺盛 三星半导体盈利连续第八个季度创历史新高！18Q3实现收入24.8万亿韩元，同比增长24%，环比增长13%；在16Q4-17Q4连续5个季度创新新高之后，18Q2-Q3再次连续创下历史新高！实现营业利润13.7万亿韩元，同比增长37%、环比增长18%；连续第八个季度创出历史新高。
营业利润率达55%，同比提升5个百分点，环比提升2个百分点。
公司内存收入表现好于整体半导体部门。
18Q3内存实现收入21.5万亿韩元，同比增长29%，环比增长14%。
18Q3，数据中心和手机需求强劲。
DRAM：提高先进工艺的产量，降低成本。
NAND：对高密度SSD/移动存储的需求增加。
18Q4，尽管需求旺盛，但由于季节性原因价格有所走软。
DRAM：考虑市场环境灵活管理产品结构。
NAND：专注于高价产品市场。
对于2019年，随着云市场的增长，对高密度内存芯片的需求保持强劲增长，中低端智能手机则采用更高规格存储器产品等。
DRAM：将扩大差异化产品销售策略，比如高密度服务器DRAM、智能手机、HBM2等；NAND：通过扩大第5代V-NAND的供应增强成本竞争力。
图：三星半导体收入季度情况 图：三星半导体盈利季度情况 2.6、美国美光：连续第七个季度创历史新高，DRAM需求仍将强劲，服务器市场将长期高速成长 美光收入连续第七个季度创历史新高！18Q3实现收入84.40亿美元，同比增长38%，环比增长8%；在旺季继续创下历史新高！ 盈利能力续创历史新高，毛利率环比继续实现提升。
18Q3实现净利润43.13亿美元，同比增长82%，环比增长11%，继续展现出强大爆发力；18Q3毛利率达61.4%，同比提升10.7个百分点，环比提升0.4个百分点；净利率达51.1%，同比提升12.5个百分点，环比提升1.1个百分点。
云服务器和图形内存，销售额同比增长近一倍，是增长最快的应用领域。
公司表示，数据中心、云、AI等市场仍处于早期应用，企业和云数据中心应用中的DRAM需求增长速度将远远快于DRAM平均行业总需求增长，未来几年内复合年增长率约为30％。
公司展望2019财年供给端放缓。
2018财年，DRAM行业位元出货增长略高于20%，NAND行业位元出货增长率约为45%；公司展望2019财年，DRAM行业位元出货增长约为20%，NAND行业位元出货增长率约为35~40%。
公司称，DRAM行业目前技术复杂性提高，供给增长放缓，技术节点升级所需的资本支出也更高，行业会保持盈利水平，基本面非常健康。
我们认为，供给端摩尔定律失效是不可逆的行业背景，特别是DRAM行业，具体我们将在后续的随笔中做深入分析。
季节性因素影响，公司指引下季度环比略降。
公司预计18Q4收入区间79-83亿美元，毛利率57%-60%。
短期回避消费级进入深水区，我们预计随着第四次硅含量提升领域的持续不断增长，将在2019年逐步填补消费级领域的下滑，超级景气周期将实现螺旋式上升节奏。
图：美光收入季度情况 图：美光盈利季度情况 DRAM量价依然优秀！DRAM产品在十年中第一出现了惜售涨价现象，17Q1-3连续3个季度实现了惜售涨价。
18Q1DRAM在淡季再次回到惜售涨价，18Q2延续惜售涨价趋势，18Q3量价依然优秀；18Q3DRAM位元出货量环比增长约8%，销售均价环比约持平；18Q3利率达71%，环比提升2个百分点，同比提升12个百分点，连续第七个季度创下毛利率历史新高。
图：美光DRAM芯片量价季度变动情况 回避消费级进入水深区，即使美光坚定持续的回避消费级，但NAND依然出现较大衰退。
18Q3NAND位元出货量环比增长约35%，销售均价环比下降约15%；18Q3毛利率达48%，环比提升1个百分点，同比提升8个百分点，毛利率维持高位水平。
美光的NAND部分消费级约占60%，在旺季出货可能更多的背景下，NAND成为消费级进入深水区的重灾区。
图：美光NAND芯片量价季度变动情况 我们需要警惕由于“全球半导体硅片需求和供给2016-2017年剪刀差”形成的超级景气周期，所带来的产业链传导路径的通畅程度，注重传导闭环！半导体行业一边是火焰、一边是冰洋将持续！这里再次强调回避消费级的概念，重视存储器。
目前产业进展正沿着我们的预判趋势进行，具体推荐阅读《随笔2：中国半导体产业的思考：涨价谁受益？谁受损？》与《随笔19：中国半导体产业的思考：传导图势不可挡》 下面我们单独分析，大陆唯一存储器芯片公司兆易创新18年3季报，感受一下超级周期进入到回避消费级深水区时大陆公司如何实现全球赶超的一步步进展！3、大陆存储唯一公司兆易创新：收入创历史，高容量新品开始抢夺市场，科技红利拥抱第四次硅含量提升3.1、18Q3收入创历史新高，毛利率高位提升，中高容量NOR/SLCNAND开始抢夺市场 18Q3兆易创新收入创历史新高。
公司公告显示，18年前3季度收入17.21亿元，同比增长13.45%；其中，3季度实现收入6.15亿元，同比增长6.26%，环比增长8.78%；创历史新高，单季度收入首次突破6亿！同行业龙头旺宏18Q3收入同比下滑4%。
兆易创新在2018年行业景气受消费级影响的各季度，均实现了增长；同期行业龙头旺宏在18Q1-Q3的各季度均出现了不同程度的同比或环比下滑。
兆易创新已展现出持续超出行业的成长能力，2018-2019年将是公司获取产业超级周期与抢夺市场份额的双重挹注之年。
图：兆易创新收入变动情况 净利润未同步收入创历史新高，费用高企为主要原因。
公司 18 年前 3 季度实现净利润 3.67 亿，同比增长 8% ；其中， 18Q3 实现净利润 1.32 亿元，同比下降 17% ，环比下降 9% 。
18Q3公司三项费用率合计14.10%，同比上升0.21个百分点，环比上升3.20个百分点；特别是与研发投入相关的管理费用率达15.21%，同比上升5.83个百分点，环比上升3.00个百分点。
科技公司收入和毛利率是体现产品现有竞争力的重要指标，研发投入与有效研发投入则是预判产品未来竞争力的重要指标，以下将一一解析。
图：兆易创新净利润变动情况 图：兆易创新三项费用率季度变动情况 毛利率处于历史高位，环比继续提升。
18Q3公司毛利率39.4%，同比下降3.9个百分点，环比提升1.9个百分点。
从毛利率的情况可以看到，公司在仍然保持历史高位的高景气周期；同时也是公司三个季度之后环比重新上升，高毛利新产品逐步放量是主要因素。
图：兆易创新盈利能力变动情况 继低容量抢夺之后，中高容量NOR/SLCNAND开始抢夺市场。
1）从17Q3开始，全行业步入旺季景气阶段之时，兆易创新的毛利率开始略有下调，我们认为这和公司一贯的主动市场战略匹配，目的是为后续抢夺客户、进而抢夺市场弹性做准备；从另外的角度，公司同类型产品较海外有较大的成本优势，拥有主动市场战略的可行性。
2）从18Q3开始，中高容量与SLC开始量产抢夺市场之后，毛利率高位回升；而同行业龙头公司则出现了较大的毛利率波动；从龙头公司的表述也能印证，公司新产品已逐步形成批量供应。
我们在18中报的分析中，曾预测“我们预计，后续公司将一方面继续维持“优势”毛利率水平，另一方面，中大尺寸NOR以及SLCNAND等高毛利新品稳定量产之后，综合毛利率有望稳中有升。
”目前公司正沿着既定战略在走，我们对此保持乐观。
图：各家编码型存储器公司毛利率变动情况3.2、库存高水位温和增长，对后市保持积极的进攻性 库存高水位温和增长，对后市保持积极的进攻性。
兆易创新存货自2016年开始大幅提升，2016年底库存4.07亿元，同比增长85%，体现了公司超前的战略眼光；2017年即使在景气旺季仍然在加大库存备货，2017年底库存6.3亿元，同比增长54%，即使考虑涨价因素，公司库存也是在持续增加的进攻态势；2018年库存温和增长，2018年3季度末库存7.3亿元，较2017年底增长16%。
我们判断，一方面公司继续对竞争度对手保持进攻性，另一方面在新品逐步量产后开始优化库存结构。
这和我们预期是一致的，无论从产品质量还是数量都将在2018/2019年挤进前三位。
需要强调的是，库存要结合行业景气周期来判断，如果是景气高点来临之际的库存高企是需要警惕的。
而兆易创新库存大幅提升（2016年）先于行业景气启动之际（2017年初），这是对于行业充分预判之后的主动行为，在新品逐步量产的背景下，公司库存继续温和增长，我们认为这与公司抢夺市场份额、目标全球龙头的战略是一致的。
十年一遇的SuperCycle才刚上路，推荐阅读随笔系列，此轮景气成因：硅片剪刀差+第四次硅含量提升。
图：兆易创新存储周转天数 图：兆易创新依然保持主动的库存高企战略，新品量产后优化库存结构 进一步对比各家编码型存储器公司库存周转天数，兆易创新在高位优化库存结构的战略较为明显；而龙头旺宏在核心产品出现被动抢夺之后，出现了库存管理的问题（这与毛利率大幅下滑匹配）；华邦电在新品研发投入较为积极，暂时未现较大的库存问题。
图：各家编码型存储器公司库存周转天数变动情况3.3、超高研发投入持续两年，有效研发投入在2018年加速提升 前3季度研发费用增长74%，新品投入力度决定未来成长高度。
公司三季报显示，2018年前三季度研发支出达1.41亿元，同比增长74%，保证公司技术产品的先进性；研发费用占营收比重持续保持历史高位，2018年前3季度公司研发费用占营收比重达8.2%，自2017年开始一直保持在8-9%的水平，较2013-2016年高出一个档次。
自2017年以来，公司研发投入保持高速增长；连续两年的超高研发投入之后，有效研发投入也开始在2018年逐步显现，将确定性增加公司未来的产品线与收入规模。
图：兆易创新研发费用及同比增速 图：兆易创新研发费用占营收比重持续提升 开发支出早于无形资产，合计都是体现有效研发投入的快速提升。
无形资产：公司自主研发项目达到经济化生产状态或形成知识产权时，将“研发支出——资本化支出”转为无形资产开发支出：公司自主研发项目从初步判断使用或出售该技术上具有可行性，到产品达到经济生产的能力期间所发生的费用，计入“开发支出” 我们在2018年1季度与中期点评中提到，2018年开始兆易创新有效研发投入加速提升。
我们强调的科技红利思想，即研发投入之有效性。
1）18Q1公司无形资产增长95%，上一次公司无形资产大幅增长的一年在2016年；18Q2公司无形资产继续提升，环比提升22%，较2017年底增长139%；18Q3公司无形资产环比提升4%，较2017年底增长148%。
2）开发支出17Q4开始爆发式增长，环比提升184%；2018年公司开发支出继续大幅增长，18Q3公司开发支出环比增长20%，较2017年底增长43%。
公司的研发投入持续以及有效研发投入提升，将是公司持续成长的内生保证。
图：无形资产提升之后，营收将加速上台阶 图：开发支出2018年亦有大幅增长3.4、研发投入新品，进入科技红利期 从海外主要龙头的表述，我们可以看到，以兆易创新为龙头的大陆厂商正在快速渗透到全球龙头公司的核心产品端。
随着研发投入以及有效研发投入的深入，公司已进入科技红利期，未来有望进一步缩短海外龙头差距，凭借本土巨大的进口替代市场，快速实现高端价值量的份额提升。
台湾省之旺宏：毛利率在旺季环比大幅下滑，公司竞争力受到较大威胁。
我们在前序跟踪中，明显感觉到龙头公司对于大陆竞争者的忽视，特别在获利高的中大容量NOR以及SLCNAND领域；公司在法说会仅仅强调了低容量NOR有来自于大陆公司的竞争。
从目前跟踪的所有存储器公司中，旺宏的毛利率下滑是最多的，环比达到10个百分点，从18Q2的45.4%下降至18Q3的35.4%，一个季度下跌到了16Q4行业超级周期未启动之前的水平。
我们认为，这不能简单的从行业景气度受消费级大幅下降的影响，最主要的影响因素来自于大陆公司的直面竞争，导致龙头公司产品与份额出现大幅的下滑。
台湾省之华邦电：与旺宏的情况类似，在NOR与SLCNAND领域均已受到大陆厂商的竞争压力。
编码型存储器两大龙头同时感受到大陆厂商的压力，大陆厂商快速上升的追赶能力正在撼动龙头企业的市况。
（17Q1旺宏与华邦电分别占NOR全球份额的26%/20%，SLCNAND在美光退出之后亦将是前3大供应商） 以下是引用《随笔34：18Q2存储器淡季不淡，SuperCycle进行时》中，关于兆易创新中报分析之新品研发投向——中报关键词：调结构！拥抱第四次硅含量提升 调结构！拥抱第四次硅含量提升，是公司定期报告展现出来的战略，这也符合我们随笔一直强调的逻辑。
调结构一方面在短期内压制了增长的爆发力，但另一方面也将在更长期的增长中具备更高质量的业绩弹性。
NORFlash针对高阶应用如工业、汽车，以及新型应用物联网，人工智能开发特色产品，满足应用需求和客户需求；（摘自2017年报）NANDFlash重点拓展在工业、汽车等高可靠性应用；（摘自2017年报）MCU重点满足物联网应用的连接性、安全性、低功耗产品，以及高性能、高可靠性的工业、汽车用产品；（摘自2017年报） 2018年中报显示：持续开发新产品和技术升级NORFlash扩展高容量产品，首次实现512Mb大容量产品量产，并丰富了宽电压、低功耗等产品线型号。
工艺方面基于目前65nm技术平台，加大推进先进工艺节点55nmNORFlash技术产品研发，在性能和成本方面进一步提高竞争力。
NANDFlash38nm产品已稳定量产，具备业界领先的性能和可靠性，基于38nm工艺平台继续进行产品开发，扩充产品线。
24nmNANDFlash也在推进研发工作，未来将具备更好的产品成本优势、提供更高产品容量范围，进一步扩展产品组合。
MCU产品扩展产品组合，针对高性能、低成本和物联网应用分别开发新产品。
高性能M4系列产品实现量产，在指纹识别、无线充电等新型热门领域取得广泛应用。
更低功耗和成本的M3系列产品推出，继续保持M3产品市场的领先优势，面对物联网发展需求，规划并开展无线MCU产品的研发。
目前产品主要采用110nm、55nm工艺平台，已经启动40nm工艺制程平台产品开发，并按计划开展新工艺流程研发和评估工作。
同时积极扩展应用生态，融入国内主要物联网平台，冠名支持全国研究生电子设计大赛，为后续产品应用发展奠定良好基础。
调结构！拥抱第四次硅含量提升，意味着什么？我们在随笔成长系列中，分拆过工业、新零售等第四次硅含量提升领域，展现行业成长方向。
以下我们分别从SLCNAND-通信、中大容量NOR-工业/新零售领域做一个简单拆分：调结构拥抱第四次硅含量提升之后将具备本轮超级周期最佳的成长弹性。
SLCNAND-通信，受益5G浪潮，光模块升级之重要领域：随着GPON等设备采购招标重启、中兴通讯禁运危机缓解、中长期5G资本投入浪潮来临，通讯级有望持续拉动SLCNAND、信号处理芯片以及通信芯片等元器件产业链向上。
PON（无源光网络）是指光配线网中不含有任何电子器件及电子电源，ODN全部由光分路器等无源器件组成。
8月起中国移动、中国电信陆续重启对GPON等设备的采集招标。
而5G对于光模块的提速升级诉求则更为强烈。
我们拆分典型的PON模块，使用1GBSLCNAND+DDR2/DDR3产品组合方案。
图：PON等通信级应用拉动SLCNAND需求 中大容量NOR-工业/新零售：我们在随笔32《物联网之最大应用领域之一智慧工厂的崛起》中，做过拆分，第四次硅含量提升最大应用领域工业部分中，包括执行与传输俩大重要模块均需要中大容量闪存。
具体拆分如下：1）执行部分，自动控制系统主要包括三大硬件部分：PLC（DCS）+人机界面+工业网关。
我们以电子装配产线为例进行拆解。
我们估算，市场上主流的工业用PLC价值约500元，主要硅含量在于主控芯片、NANDFLASH、DRAM、NORFLASH（64/128M）等，此外还包括被动元器件、IO模件等，约占PLC总BOM成本的82%，约410元。
2）传输部分，生产信息通过IoT网络交换设备与后端工业云平台进行交互。
智慧工厂网络交换设备，以中档工业级交换机思科WS-C3750X-24S-E系列为例，交换机成本约为1800元，其中闪存（128M）、DRAM（512M）、主芯片、光器件占比分别为11%、17%、29%、14%，再加上部分电源模块中硅含量部分，交换机硅含量价值约占74%，约1332元/台。
图：思科交换机部分参数表随笔32 详文请点击如下链接：随笔32：中国半导体产业的思考：物联网之智能零售0-1崛起 随笔34 详文请点击如下链接：随笔34：中国半导体产业的思考：物联网之最大应用领域之一智慧工厂的崛起 下面我们进一步全面分析全球主要存储器厂商的库存情况，感受一下超级景气周期在回避消费级深水区的季度，各个公司的经营战略变化！4、回避消费级进入深水区，库存管控整体趋于谨慎 我们进一步分析全球主要存储器厂商的库存情况：18Q3消费级旺季同比出现较大幅度下滑，回避消费级进入深水区，由于消费级应用占比在各个领域都有或多或少的比例，各家存储器厂商在18Q3库存管控整体趋于谨慎。
编码型存储器公司库存控制方面，大陆兆易创新较好，旺宏问题严重。
1）兆易创新一方面公司继续保持高水平库存的进攻性战略，另一方面在大容量新品逐步量产后开始优化库存结构；2）龙头旺宏出现了较大的库存恶化问题，上半年淡季加速备货之后，在旺季受到了竞争对手的影响库存与收入形成比较大的背离。
3）华邦电由于新品持续研发，虽然也受到大陆厂商的抢夺，库存收入暂时还算良好。
DRAM与NAND公司已充分意识到NAND产业链受到消费级影响，维持谨慎库存策略。
海力士与美光均有不同比例的NAND业务，在前几个季度库存把控中已充分意识到消费级下滑的影响，因此在消费级大幅下滑的18Q3，各家公司依然做到了谨慎库存策略、库存温和上升。
我们推断，NAND产业链正在持续进行去库存阶段，意味着后市需求尚未有好转迹象，符合我们对NAND谨慎的判断，仍需要密切关注消费级需求传导的进展。
库存管控需要与产品发展相匹配，编码型存储器龙头的再次严重误判使得库存管控出现恶化；我们强调，超级景气周期处于回避消费级深水区，同时亦处于追赶者最好的时间光景，注重科技红利投入的公司将会在2019-2020年景气周期中获得快速突破。
回顾整个行业景气启动至今，旺宏的库存战略无疑出现了较大的失误。
1）在2016年底至2017年初，此轮景气启动过程开始之初，公司并未做好足够的库存准备，演变为后续的“配销模式”，直至逐步读懂随笔逻辑开始快速产品结构2）在2018年上半年，为避免出现2017年的尴尬局面，公司提前备货、淡季主动加库存，但却低估了大陆竞争度对手在自己核心产品线上的突破速度，18Q3毛利率下滑至16Q4水平。
连续两年的战略失误，龙头公司丢掉科技红利思维，战略一直处于被动局面，将为后续追赶者提供机会。
图：旺宏库存恶化 图：华邦电库存收入配合良好 图：兆易创新主动库存之后，优化库存结构 图：海力士库存健康 图：美光库存低位运行 强调结论：随笔系列中，我们一直告诉大家的是，十年高景气的半导体涨价中，受益最大、最确定的投资机会就是存储器；买入存储器，回避消费级。
同时建议以更加积极的态度面对“中国人第二次大投入”的快速推进，大陆主要公司中高容量NOR、SLCNAND以及DRAM等新品量产情形；如何在产业超级周期与市场份额抢夺（进口替代）双重挹注的年份实现全球超越的目标。
短期虽然消费级下降幅度较大，短暂影响了行业整体景气弹性，但随着第四硅含量提升领域占比提升，产业超级周期演进将呈现螺旋式上升趋势。
敬请您持续关注后续之《中国半导体产业的思考—随笔》系列！ 注1：本文部分图表引用于互联网、公司公告等 注2：本文相关专利说明引用于互联网以及国家相关专利机构等 注3：本文相关公司信息引用于互联网，外媒、公司公告等 注4：本文相关行业数据来自国家统计局、工信部等部委
