场效应管原理怎么搞不懂哇

场效应管是一种重要的半导体器件，它具有高输入阻抗和低噪声等特性，在现代电子领域得到广泛应用。但是当初学场效应管时，很多人常常会遇到一些问题，无法理解其工作原理。本文将为大家介绍场效应管的工作原理，帮助大家理解这一重要的器件。

1. 什么是场效应管（FET）

场效应管，简称FET，是一种半导体器件。与双极性晶体管不同，FET没有PN结，其控制电路和被控制电路之间存在着高阻抗的场效应区，从而实现了电流的调制作用。

2. FET的结构与电路符号

FET由漏极、源极、栅极三个区域组成。其电路符号由一个横放的线加上两个箭头构成，线代表源极和漏极之间的通路，两个箭头分别代表电子流动的方向和控制电势的施加方向。

3. FET的工作原理-基本概念

FET的工作原理基于场效应，即栅电压通过电场作用控制了通道电阻。当栅电位为负时，通道电子被排斥，电子密度较小，通道电阻较大；当栅电位为正时，通道电子被吸引，电子密度较大，通道电阻较小。

4. N沟道MOS场效应管(NMOSFET）的工作原理

N沟道MOSFET，简称NMOS，是一种N型沟道结构的场效应管。当栅极电势高于导体表面时，便能形成反型沟道，从而形成低阻通路。当栅电势降低时，沟道被“挤”掉，通路被切断。

5. P沟道MOS场效应管(PMOSFET）的工作原理

P沟道MOSFET，简称PMOS，是一种P型沟道结构的场效应管。当栅电位低于导体表面时，便能形成正型沟道，从而形成低阻通路。当栅电位上升时，沟道被“挤”掉，通路被切断。

6. FET的应用

FET具有高输入阻抗和低噪声等特性，广泛应用于高音质音频放大器、低噪声放大器、动态随机存储器、CMOS等领域。

7. FET与双极性晶体管的区别

FET与双极性晶体管的最大区别在于前者具有高输入阻抗，更容易控制电流的流动，而后者的输入阻抗相对较低，更容易使电路产生反馈，从而引起不稳定。

8. 如何选用合适的场效应管

选用合适的场效应管需要考虑多个因素，包括电流增益、电阻、电容、速度和价格等因素。

观点：

场效应管具有高输入阻抗和低噪声等特性，广泛应用于各种电子领域。理解场效应管的工作原理，不仅有利于我们正确选择器件并进行设计，还能有助于我们更好地理解电路的工作原理，推动电子技术的进一步发展。